全波段 100GHZ DWDM 高功率DFB 芯片（COS）

产品描述

激光设计是在n型基板上生长的脊波导（RWG），具有多量子阱（MQW）有源层和分布反馈（DFB）ebeam光刻光栅层。这些器件与非密封组件兼容，正面涂有抗反射（AR）涂层，背面涂有高反射（HR）涂层。1310nm/1550nm的调频连续波（FMCW）激光器。以低成本和低功耗提高激光雷达系统的性能、安全性和射程。

产品特点

AlGaInAs多量子阱

O+S+C+L波段LD（激光二极管）

单模

窄线宽

边缘发射

高输出功率

成本效益高

产品应用

5G LTE

FMCW激光雷达

HPC/AI

数据中心和企业网络

矽光子

通用参数

■ Electro-Optical Characteristics:

参数	符号	测试条件	Min. 值	典型值	Max. 值	单位
中心波长	λp	Tc=25℃&CW I=300mA	1520	ITU Channel	1578	nm
阈值电流	Ith	CW			15	mA
斜率效率	η	If=Ith+5mA to Ith+100mA	0.25	0.4		W/A
前端功率	Pf	bar-tester, CW	50			mW
			80			mW
			100			mW
正向电压	Vf	If≤400mA			3.0	V
串联电阻	R	I1=40mA、I2=50mA 之间的斜率			8	Ohms
波长温度系数		CW		0.098		nm/℃
峰值波长	λp	If, C-band		ITU-C		nm
边模抑制比	SMSR	Po=Pf	35			dB
光束发散角（水平，FWHM）	θh	If=Ith+20mA		22	30	deg
光束发散角（垂直，FWHM）	θv	If=Ith+20mA		23	30	deg
RIN	RIN	If=IOP			-150	dB/Hz

核心参数

中心波长 :	1520nm-1620nm
输出功率 :	100mW
线宽(Hz) :	≤200 KHz
封装形式 :	COS封装
激光二极管类型 :	DFB

如何订购

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产品型号 ⁶

DWDM-HPDFB-COS-WC09	联系客服提交询价单	DWDM高功1570.42nm DFB 芯片	中心波长：1570.42nm(ITU34) 线宽：＜200KHZ 功率：＞100mW 封装形式：COS	{ProductTablePleaseconsult}
DWDM-HPDFB-COS-WC34	联系客服提交询价单	DWDM 高功率1550.12nm DFB 芯片	中心波长：1550.12nm(ITU34) 线宽：＜200KHZ 功率：＞100mW 封装形式：COS	{ProductTablePleaseconsult}
DWDM-HPDFB-COS-WC59	联系客服提交询价单	DWDM高功1530.33 DFB 芯片	中心波长：1530.33(ITU34) 线宽：＜200KHZ 功率：＞100mW 封装形式：COS	{ProductTablePleaseconsult}

DWDM-HPDFB-COS-WC21	联系客服提交询价单	DWDM高功1560.61nm DFB 芯片	中心波长：1560.61nm(ITU34) 线宽：＜200KHZ 功率：＞100mW 封装形式：COS	请咨询客服
DWDM-HPDFB-COS-WC46	联系客服提交询价单	DWDM高功1540.56nm DFB 芯片	中心波长：1540.56nm(ITU34) 线宽：＜200KHZ 功率：＞100mW 封装形式：COS	请咨询客服
DWDM-HPDFB-COS-WC72	联系客服提交询价单	DWDM高功1520.25 DFB 芯片	中心波长：1520.25(ITU34) 线宽：＜200KHZ 功率：＞100mW 封装形式：COS	请咨询客服