795nm VCSEL垂直腔面发射激光器


产品描述

795nm带致冷TOVCSEL是一种垂直发射的MOVPE生长的砷化镓单模二极管激光器。芯片为TO封装。内置TEC,可通过激光电流和温度调谐来实现波长调谐。专为冷原子打造。



产品特点

芯片技术:砷化镓VCSEL
红外激光波长:795nm
辐射剖面:单模
ESD
:静电保护250V


产品应用

原子钟
磁力计


通用参数

(热沉温度TSubmount=90℃,环境温度TAmbient=25±5℃)

参数

符号

单位

Min. 值

典型值

Max. 值

备注

阈值电流

Ith

mA

-

-

1

CW

出光功率

POUT

mW

0.1

-

-

CWIFLD=1.4mA

斜率效率

SE

mW/mA

-

0.2

-

CWIFLD=Ith~2mA

峰值波长

λP

nm

-

795

-

CWIFLD=1.4mA

边模抑制比

SMSR

dB

20

-

-

CWIFLD=1.4mA

峰值波长温度漂移系数

λP/∆TSubmount

nm/

-

0.055

-

CWIFLD=1.4mATSubmount=80~100

峰值波长电流漂移系数

λP/∆IFLD

nm/mA

-

0.3

-

CWIFLD=Ith~2mA


极限参数(TAmbient=25±5℃)

参数

符号

单位

Min. 值

Max. 值

TEC工作电流

ITEC

A

-

0.46

TEC工作电压

VTEC

V

-

1.85

光谱

激光功率测试曲线

驱动电压


封装尺寸及引脚定义(单位:mm,未注公差:±0.3

Pin#

功能

1#

Case

2#

Rth

3#

TEC+

4#

VCSEL+

5#

TEC-

6#

VCSEL-/Rth


阈值电流  : 

1mA

激光二极管类型  : 

VCSEL

出光功率  : 

0.1mW

峰值波长  : 

795nm

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  795nm带致冷TO型VCSEL 阈值电流: 1mA 出光功率:0.1mW 峰值波长:795nm  {ProductTablePleaseconsult}