高功率1653.7nm DFB芯片

产品描述

激光设计是在n型基板上生长的脊波导（RWG），具有多量子阱（MQW）有源层和分布反馈（DFB）ebeam光刻光栅层。这些器件与非密封组件兼容，正面涂有抗反射（AR）涂层，背面涂有高反射（HR）涂层。1310nm/1550nm的调频连续波（FMCW）激光器。以低成本和低功耗提高激光雷达系统的性能、安全性和射程。

产品特点

输出功率超过100mW

单横模

符合ROHS标准

高可靠性

产品应用

用于化学、医疗和环境监测的甲烷（CH4）浓度监测

通用参数

■ Electro-Optical Characteristics:

参数	符号	测试条件	Min. 值	典型值	Max. 值	单位
中心波长	λp	Tc=25℃&CW I=300mA	1652	1653	1654	nm
阈值电流	Ith	CW			20	mA
斜率效率	η	If=Ith+5mA to Ith+100mA	0.25	0.4		W/A
前端功率	Pf	bar-tester, CW	50			mW
			80			mW
			100			mW
正向电压	Vf	If≤400mA			3.0	V
串联电阻	R	I1=40mA、I2=50mA 之间的斜率			5	Ohms
波长电流系数		CW		0.008		nm/mA
波长温度系数		CW		0.098		nm/℃
峰值波长	λp	If, C-band		ITU-C		nm
边模抑制比	SMSR	Po=Pf	35			dB
光束发散角（水平，FWHM）	θh	If=Ith+20mA		22	30	deg
光束发散角（垂直，FWHM）	θv	If=Ith+20mA		23	30	deg
RIN	RIN	If=IOP			-150	dB/Hz

*: Specification is met by design and process control, but not tested.

**: The Linewidth of the laser was measured by the delayed self-heterodyne method with 50 km single mode fiber (-20dB/20).

■ Spectrum(Typ Wavelength@1652.6nm)

■ LIV(Chip Power Test)

■ Linewidth

■ Absolute maximum ratings*

参数	符号	Min. 值	典型值	Max. 值	单位
带TEC的正向电流(LD)	If			500	mA
反向电压(LD)	Vr			2	V
外壳工作温度 TEC 控制包下	Top	-10		60	℃
存储温度	Tstg	-20		65	℃
储存相对湿度	RH			85	％
焊接回流温度（Max. 10 秒）	Ts			300	°C

*Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause permanent damage to the device. These are absolute stress ratings only. Functional operation of the device is not implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of the data sheet. Exposure to absolute maximum ratings for extended periods can adversely affect device reliability.

**These maximum stresses are to be applied only after the chip is properly bonded to a heat sink. Applying current to a bare chip can damage the device.

■ Dimensions

Chip Dimensions (w*l*h) = 360±10μm*1500±10μm*100±10