795nm带致冷TO型VCSEL是一种垂直发射的MOVPE生长的砷化镓单模二极管激光器。芯片为TO封装。内置TEC,可通过激光电流和温度调谐来实现波长调谐。专为冷原子打造。
芯片技术:砷化镓VCSEL 红外激光波长:795nm 辐射剖面:单模 ESD:静电保护250V
原子钟 磁力计
(热沉温度TSubmount=90℃,环境温度TAmbient=25±5℃)
参数
符号
单位
Min. 值
典型值
Max. 值
备注
阈值电流
Ith
mA
-
1
CW
出光功率
POUT
mW
0.1
CW,IFLD=1.4mA
斜率效率
SE
mW/mA
0.2
CW,IFLD=Ith~2mA
峰值波长
λP
nm
795
边模抑制比
SMSR
dB
20
峰值波长温度漂移系数
∆λP/∆TSubmount
nm/℃
0.055
CW,IFLD=1.4mA,TSubmount=80~100℃
峰值波长电流漂移系数
∆λP/∆IFLD
nm/mA
0.3
极限参数(TAmbient=25±5℃)
TEC工作电流
ITEC
A
0.46
TEC工作电压
VTEC
V
1.85
光谱
激光功率测试曲线
驱动电压
封装尺寸及引脚定义(单位:mm,未注公差:±0.3)
Pin#
功能
1#
Case
2#
Rth
3#
TEC+
4#
VCSEL+
5#
TEC-
6#
VCSEL-/Rth
0.1mW
795nm
1mA
795nm 带致冷TO型 VCSEL.pdf
产品型号:
阈值电流: 1mA 出光功率:0.1mW 峰值波长:795nm
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