1064nm 窄线宽高功率DFB芯片 150mW 3MHz



产品描述

DFB系列高性能边缘发射激光二极管基于SLT先进的单片单频砷化镓(GaAs)激光技术。它提供了单一的空间模式光束,并具有钝化的刻面以提高可靠性。10xxnm系列DFB器件作为低噪声光泵浦源用于倍频应用


产品特点

晶体生长技术,

光栅形成技术

广泛的波长阵容

1018-1120 nm和1180 nm(波长精度+/-1 nm)

单一模式

窄线宽

边缘发射

高输出功率

有成本效率的



产品应用

高功率激光播种机

微机械加工

激光雷达

半导体检测设备

例如SHG、THG(1064532355纳米)


通用参数

电光特性:

参数

Symbol

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

阈值电流

Ith

Tc=25℃&CW

--

17

50

mA

光输出功率

P

Tc=25℃&CW I=200mA

100

150

--

mW

串联电阻

Rs

Tc=25℃&CW

--

1

--

Ohm

波长

λp

Tc=25℃&CW I=200mA

1027

1028

1029

nm

侧模抑制比

SMSR

Tc=25℃&CW I=200mA

40

50

--

dB

2.







激光二极管孔径

--

Tc=25℃&CW I=200mA


3x0.5


um2

空腔长度

L

--

--

2000

--

μm

Farfield(垂直)*

θ v

Tc=25℃&CW(FWHM)

--

45

50

°

Farfield(水平)*

θ h

Tc=25℃&CW(FWHM)

--

10

12

°

线宽**

--

Tc=25℃&CW I=200mA

--

3

5

MHz

*:设计和过程控制符合规范要求,但未进行测试。

**:采用延迟自外差法,用50km单模光纤(-20dB/20)测量了激光器的线宽。


中心波长  : 

1064nm

输出功率  : 

150mW

线宽  : 

3MHz

封装形式  : 

COC

芯片适用的激光器  : 

DFB

相关文档

产品型号: SLT-COS-DFB-1064


输出光功率 : 150mW;线宽(Hz) : 3MHz; 中心波长 : 1064nm;封装形式 : COC封装; 阈值电流 : 17 mA;串联电阻:1 Ohm;侧模抑制比:50dB; 芯片尺寸(w*l*h):360±10μm*2000±10μm*100±10um;



如何订购

请联系我们获取您的定制报价。或了解产品供应情况、有关批量折扣的更多信息以及任何问题!

我要询价