1550nm 宽带超辐射发光二极管SLED芯片


产品描述

SLT-COS-SLD-1550-30系列是一款宽带SLED,可在真正的固有超发光模式下工作。与其他基于ASE的传统SLED相比,这种1550nm的超发光芯片在更高的驱动电流下产生更宽的频带,其中高驱动往往产生更窄的频带。其低相干性降低了瑞利后向散射噪声。加上高功率和大光谱宽度,它抵消了光接收器的噪声,提高了空间分辨率(在OCT中)和被测灵敏度(在传感器中)。SLED基于 Chip on submount 封装。符合Bellcore文件GR-468-CORE的要求。



产品特点

晶体生长技术,

输出功率>30mW

3dB带宽>70nm

底座封装上的芯片

单一模式

边缘发射

高成本效率


产品应用

高功率激光播种

微机械加工

OCT

半导体检测设备

通用参数

电光特性:

参数

Symbol

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

阈值电流

Ith

Tc=25℃&CW

--

17

50

mA

光输出功率

P

Tc=25℃&CW I=400mA

30

40

--

mW

串联电阻

Rs

Tc=25℃&CW

--

1

--

Ohm

波长

λp

Tc=25℃&CW I=400mA

1530

1550

1570

nm

频谱调制

R

Tc=25℃&CW I=400mA



0.45

dB

激光二极管孔径

--

Tc=25℃&CW I=100mA


3x0.5


um2

空腔长度

L

--

--

2000

--

μm

Farfield(垂直)*

θ v

Tc=25℃&CW(FWHM)

--

45

50

°

Farfield(水平)*

θ h

Tc=25℃&CW(FWHM)

--

10

12

°

光谱宽度

BFWHM

 

Tc=25℃&CW I=400mA

60

70

--

nm

*:设计和过程控制符合规范要求,但未进行测试。

jue对Max. 额定值*:

参数

Symbol

Min.

Max.

Unit

储存温度

Ts

-40

85

正向电流

If

--

500

mA

正向功率**

Pf

--

100

mW

反向电压

VR

--

2

V

ESD(HBM)

ESD

--

500

V

*超过jue对Max. 额定值的应力可能会对设备造成**性损坏。这些只是jue对压力等级。在这些或任何其他条件下,设备的功能操作都不意味着超过数据表操作部分给出的条件。长时间暴露在jue对Max. 额定值下会对设备可靠性产生不利影响。

**这些Max. 应力仅在芯片被适当地结合到散热器之后才被施加。向裸芯片施加电流可能会损坏设备。Dimensions:

Chip Dimensions (w*l*h) = 360±10μm*2000±10μm*100±10


中心波长  : 

1550nm

输出功率  : 

40mW

FWHM带宽(nm)  : 

70nm

封装形式  : 

COC

芯片适用的激光器  : 

SLD

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SLT-COS-SLD-1550-30  1550nm 宽带超辐射发光二极管SLED芯片 40mW 中心波长:1550nm;输出光功率 : 40mW;FWHM带宽(nm) : 70nm;封装形式 : COC  {ProductTablePleaseconsult}